Bluetooth^? LE無線微控制器

• 64 MHz STAR-MC1處理器（兼容Arm^? Cortex^?-M33）

• 片上存儲

  • SRAM

    • GR5111DEBC：112 KB

    • GR5112DGBC：160 KB

  • 內(nèi)部Flash

    • GR5111DEBC：512 KB

    • GR5112DGBC：1 MB

• Bluetooth LE Stack

  • 加密廣播數(shù)據(jù)（EAD）

  • 最多支持16路同時連接

• 高性能射頻

  • 發(fā)射（TX）功率：高達+4 dBm

  • 接收（RX）靈敏度：–97 dBm @ Bluetooth LE 1 Mbps

• 安全

  • 提供完善的安全計算引擎

    • AES 128位/192位/256位對稱加密（ECB和CBC）

    • HMAC-SHA256哈希加密算法

    • PKC

    • TRNG

    • 硬件CRC32，支持DMA輸入

  • 提供全面的安全運行機制

    • 安全啟動

    • 安全調(diào)試

    • 安全密鑰存儲

• MCU外設(shè)

  • 數(shù)字外設(shè)

    • 1 x 6通道DMA，支持M2M、M2P和P2M傳輸模式

  • 模擬外設(shè)

    • 1x ADC，有效位數(shù)10位，最大采樣率1000 ksps，支持最多8路I/O通道和2路內(nèi)部信號通道

    • 集成可編程增益放大器（PGA），支持2/4/8倍可選增益，在8倍增益下可實現(xiàn)0.25 LSB（10位）的等效INL

    • 1 x 低功耗比較器，支持從Sleep模式喚醒設(shè)備

    • 內(nèi)置晶圓溫度傳感器和電壓傳感器

  • 通信外設(shè)

    • 1 x SPI Master接口，傳輸速率高達32 MHz

    • 2 x I2C接口，支持外設(shè)通信，傳輸速率高達1 Mbps

    • 2 x UART接口，傳輸速率高達4 Mbps，支持流控（僅UART1）、IrDA和1-Wire協(xié)議

  • I/O外設(shè)

    • 11 x I/O

  • 定時器

    • 2 x 通用32位定時器

    • 1 x 雙路定時器，包含2個可編程32位/16位遞減計數(shù)器

    • 1 x 睡眠定時器，可將設(shè)備從Sleep模式下喚醒

    • 2 x AON看門狗定時器，時鐘源可配置，支持獨立運行

    • 1 x 實時計數(shù)器（RTC）

    • 2 x PWM模塊（PWM0：2通道，PWM1：3通道），支持邊沿對齊模式與中間對齊模式

  • 調(diào)試

    • SWD接口

  • 時鐘

    • 24 MHz晶振（內(nèi)部倍頻到48 MHz）

    • 32.768 kHz晶振

    • 內(nèi)置32 kHz低頻RC振蕩器

    • 內(nèi)置64 MHz高頻RC振蕩器

    • 內(nèi)置256 kHz低頻RC振蕩器

• 電源管理

  • 片內(nèi)DC-DC轉(zhuǎn)換器和LDO穩(wěn)壓器

  • 電源電壓：2.0 V ~ 3.3 V，支持Buck模式單電源供電

模擬前端（AFE）

• 3 x DAC，最高支持12位分辨率，偏置電壓-700mV ~ 700mV

• 2 x 24位ADC，有效位數(shù)17.4位

• 電流檢測范圍：0.1 nA ~ 2 μA，輸入等效噪聲2 pA @ 3.2 MΩ

低功耗

• Bluetooth LE MCU功耗

  • CoreMark^?運行功耗：30 μA/MHz @ 3.3 V VSYSH輸入、64 MHz時鐘

  • Sleep模式：2.72 μA @ 3.3 V VSYSH輸入，32 KB數(shù)據(jù)保持，支持通過AON定時器、GPIO或Bluetooth LE事件喚醒

  • Ship模式：20 nA，VSYSH保持上電，可通過專用引腳喚醒，在存儲和船運過程中降低系統(tǒng)功耗

• 射頻功耗

  • TX功耗：4.0 mA @ 0 dBm，3.3 V VSYSH輸入

  • RX功耗：3.5 mA @ 3.3 V VSYSH輸入

• AFE功耗

  • 偏置模式：6.4 μA（3.0 V，單個三電極傳感器）

  • 工作電極（WE）電流采樣模式：6.6 μA（3.0 V，單傳感器 @1 Hz采樣率）

ESD

• HBM：2 kV

• CDM：500 V

工作溫度

• 0°C ~ 70°C

封裝

• BGA45：3.0 mm x 3.0 mm x 0.77 mm，焊盤間距0.4/0.5 mm

• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)