集成控制器和主機(jī)層的低功耗藍(lán)牙5.3收發(fā)器

• 數(shù)據(jù)傳輸速率：1 Mbps、2 Mbps、Long Range（500 kbps、125 kbps）

• TX發(fā)射功率：-20 dBm ~ +7 dBm

• -97 dBm接收靈敏度（1 Mbps模式下）

• -93 dBm接收靈敏度（2 Mbps模式下）

• -101 dBm接收靈敏度（Long Range 500 kbps模式下）

• -103 dBm接收靈敏度（Long Range 125 kbps模式下）

• TX發(fā)射功耗：6.3 mA @ 0 dBm, 1 Mbps, 64MHz

• RX接收功耗：5.3 mA @ 1 Mbps, 64 MHz

內(nèi)置ARM^? Cortex^?-M4F 32位微處理器，支持浮點(diǎn)運(yùn)算

• 時(shí)鐘頻率高達(dá)96 MHz

• 內(nèi)置內(nèi)存保護(hù)單元（MPU），提供8個(gè)可編程區(qū)域

• 支持硬件浮點(diǎn)運(yùn)算單元（FPU）

• 內(nèi)置嵌套向量中斷控制器（NVIC）

• 支持不可屏蔽中斷（NMI）輸入

• 支持串行調(diào)試（SWD），提供16個(gè)斷點(diǎn)、2個(gè)監(jiān)視點(diǎn)和1個(gè)時(shí)間戳計(jì)數(shù)器

• 從Flash運(yùn)行CoreMark的功耗：56 μA/MHz @ 3.3 V, 64 MHz

片上存儲(chǔ)

• ROM：包含芯片Boot啟動(dòng)、系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)及藍(lán)牙協(xié)議棧代碼

• RAM：256 KB，用于數(shù)據(jù)和指令代碼，支持休眠時(shí)內(nèi)容保持

• Flash：用于代碼、系統(tǒng)參數(shù)配置及用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)（GR5525I0NI：無內(nèi)置Flash，GR5525IENI：512KB，GR5525RGNI：1MB）

數(shù)字外設(shè)

• 2 * DMA引擎，分別支持6個(gè)通道以及多達(dá)16個(gè)可編程請求和觸發(fā)源

模擬外設(shè)

• 13位感測ADC，支持1 Msps采樣率和多達(dá)11個(gè)通道（8個(gè)外部I/O通道和3個(gè)內(nèi)部信號(hào)通道）

• 內(nèi)置晶圓溫度傳感器和電壓傳感器

• 低功耗比較器，支持從Sleep模式喚醒設(shè)備

豐富的串口外設(shè)

• 4 * UART接口，均支持流控和IrDA，傳輸速率高達(dá)2 Mbps

• 4 * I2C接口，支持外設(shè)通信，傳輸速率高達(dá)3.4 MHz

• 1 * 8-bit/16-bit/32-bit SPI Master接口，1 * SPI Slave接口供主機(jī)通信使用

• 2 * I2S接口（1 * I2S Master接口以及1 * I2S Slave接口）

• PDM接口，支持硬件采樣率轉(zhuǎn)換器

• 1 * DSPI接口，用于外接顯示屏，支持MIPI DBI Type-C接口協(xié)議

• 3 * QSPI接口，傳輸速率高達(dá)48 MHz，支持內(nèi)存映射，可快速訪問外置NOR Flash

安全

• 提供完善的安全計(jì)算引擎：

  • AES 128-bit/192-bit/256-bit加密（ECB和CBC）

  • HMAC-SHA256哈希加密算法

  • PKC

  • TRNG

• 提供全面的安全運(yùn)行機(jī)制：

  • 安全啟動(dòng)

  • 加密固件直接從Flash運(yùn)行

  • 密鑰加密后存儲(chǔ)至eFuse中

  • 應(yīng)用數(shù)據(jù)密鑰不同于固件密鑰，支持一機(jī)一密

I/O外設(shè)

• 多達(dá)50個(gè)I/O引腳

  • 多達(dá)34個(gè)GPIO

  • 多達(dá)8個(gè)AON I/O，支持從睡眠模式喚醒

  • 多達(dá)8個(gè)MSIO，可配置為數(shù)字/模擬信號(hào)接口

計(jì)時(shí)器

• 2個(gè)32位通用計(jì)時(shí)器

• 1個(gè)雙路定時(shí)器，包含2個(gè)可編程32位/16位遞減計(jì)數(shù)器

• 1個(gè)睡眠計(jì)時(shí)器，可將設(shè)備從Sleep模式下喚醒

• 2個(gè)3通道PWM模塊，支持邊沿對(duì)齊模式與中間對(duì)齊模式

• 兩個(gè)實(shí)時(shí)計(jì)數(shù)器（RTC）：1個(gè)RTC和1個(gè)用于實(shí)現(xiàn)Calendar

電源管理

• 片內(nèi)DC-DC，為RF模擬模塊及芯片CORE_LDO供電

• 片內(nèi)I/O LDO，為I/O及外圍器件供電；最大I/O LDO驅(qū)動(dòng)電流：30 mA

• 可編程的欠壓檢測器（BOD）

• 供電電壓：2.4 V ~ 3.8 V

• I/O電壓：1.8 V ~ 3.6 V

低功耗模式

• Sleep模式：7.3 μA（典型值）；此時(shí)VBAT輸入電壓為3.3 V，SRAM處于保持狀態(tài)，LFXO_32K運(yùn)行；AON域8個(gè)喚醒源均可喚醒系統(tǒng)

• Ultra Deep Sleep模式：5.0 μA（典型值）；除AON域外的內(nèi)部耗電模塊（包含SRAM）與LFXO_32K均停止；支持通過睡眠定時(shí)器和AON GPIO喚醒

• OFF模式：200 nA（典型值），除VBAT外均斷電，芯片處于復(fù)位模式

封裝類型

• QFN68：7.0 mm * 7.0 mm * 0.85 mm，焊盤間距0.35 mm

• QFN56：7.0 mm * 7.0 mm * 0.75 mm，焊盤間距0.4 mm

工作溫度：-40 °C ~ +85 °C